1. 現有技術－
(1)
L D 晶粒製程：
 650nm LD 為DVD 讀寫頭關鍵元件，可以用來儲存大量國防資料。
(2)
LED 晶粒製程：
可用於夜間照明，較燈泡省電且耐用。
(3)
MOCVD 磊晶：
 運用MOCVD技術，成長化合物半導體相關元件，用於發光二極體（LED）、雷射二極體（LD）及高頻、高功率電晶體（HEMT）及光偵測器等電子元件。
(4)
多波長雷射讀寫頭光源開發計劃：
在資料儲存上,容量可儲存越來越多，但在系統更新的同時，可同時讀取舊存取模式資料（CD）
(5)
MOCVD 磊晶：
 用於製造發光二極體（LED）、雷射二極體（LD）及高頻、高功率電晶體（HEMT）及光偵測器等電子元件
(6)
雷射網點：
 提升顯示器的影像品質。
(7)
燈條混光技術：
 運縮小器具的體積，易於收藏。
 
2. 未來發展技術－
(1)
GaN HEMT 磊晶及製程： GaN HEMT元件為高頻無線通訊的關鍵零組件，能在高溫環境下操作, 適合軍事用途。
(2)
光通訊用光源： 開發光纖通訊光源（長波長LD），具絕佳保密性及不受外界干擾，非常適合軍事通訊用。
(3)
通訊用光放大器： 開發光纖通訊光放大器，具絕佳保密性及不受外界干擾，非常適合軍事通訊用。
(4)
不對稱導光技術： 可用在交通工具的導引燈，限制光束發散角度，避免暴露行蹤。
(5)
高功率LED投射技燈： 低操作電壓，能避免產生火花。適合用在有易燃品的場所。
(6)
VCSEL製程： VCSEL雷射為光學鼠的主要零組件，用於各種工作環境，可用於虛擬實境人員訓練。